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Typical Characteristics
10
8
6
I D = 80A
V DS = 10V
4000
3000
f = 1MHz
V GS = 0 V
20V
15V
2000
C iss
4
C oss
1000
2
C rss
0
0
0
10
20 30
Q g , GATE CHARGE (nC)
40
50
0
5
10 15 20
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
25
30
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
1000
Figure 8. Capacitance Characteristics.
5000
SINGLE PULSE
R θ JC = 2.2°C/W
10μs
4000
T A = 25°C
100
R DS(ON) LIMIT
100μs
1mS
10mS
100mS
3000
10
V GS = 10V
DC
2000
SINGLE PULSE
1
R θ JA = 2.2 o C/W
T A = 25 o C
1000
0
0.1
1
10
100
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
D = 0.5
R θ JC (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 2.2 °C/W
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
P(pk
t 1
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
SINGLE PULSE
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
FDP6670AL/FDB6670AL Rev D(W)
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